Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHG150N60E-GE3
SIHG150N60E-GE3

SIHG150N60E-GE3 Vishay Siliconix

sihg150n60e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+280.2 грн
10+ 226.36 грн
100+ 183.13 грн
500+ 152.76 грн
1000+ 130.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG150N60E-GE3 Vishay Siliconix

Description: E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHG150N60E-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHG150N60E-GE3 SIHG150N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihg150n60e.pdf MOSFET 600Vds 30V Vgs TO-247AC
товар відсутній