на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 386.70 грн |
| 10+ | 273.78 грн |
| 100+ | 171.47 грн |
| 500+ | 141.62 грн |
| 1000+ | 140.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG155N60EF-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHG155N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.159 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHG155N60EF-GE3 за ціною від 139.11 грн до 391.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG155N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FASTPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 149mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V |
на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIHG155N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG155N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.159 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIHG155N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |