Продукція > VISHAY > SIHG15N60E-GE3
SIHG15N60E-GE3

SIHG15N60E-GE3 VISHAY

sihg15n60e.pdf Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.34 грн
5+226.84 грн
6+173.96 грн
15+164.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG15N60E-GE3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHG15N60E-GE3 за ціною від 119.18 грн до 326.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihg15n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.54 грн
10+208.97 грн
25+161.85 грн
100+140.52 грн
250+129.48 грн
500+119.92 грн
1000+119.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihg15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+326.81 грн
5+282.67 грн
6+208.75 грн
15+197.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 Виробник : Vishay sihg15n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 Виробник : Vishay sihg15n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihg15n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.