SIHG15N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 241.22 грн |
| 25+ | 135.20 грн |
| 100+ | 123.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG15N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHG15N80AE-GE3 за ціною від 96.99 грн до 262.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG15N80AE-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO247 800V 13A N-CH MOSFET |
на замовлення 2711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIHG15N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SIHG15N80AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 156W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 53nC Pulsed drain current: 28A |
товару немає в наявності |