
SIHG16N50C-E3 Vishay Semiconductors
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 352.76 грн |
10+ | 291.88 грн |
100+ | 205.26 грн |
500+ | 178.77 грн |
1000+ | 146.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG16N50C-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SIHG16N50C-E3 за ціною від 190.69 грн до 414.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIHG16N50C-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
SIHG16N50C-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
SIHG16N50C-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A On-state resistance: 0.38Ω Power dissipation: 250W Gate charge: 68nC Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Case: TO247AC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
![]() |
SIHG16N50C-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
SIHG16N50C-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A On-state resistance: 0.38Ω Power dissipation: 250W Gate charge: 68nC Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Case: TO247AC |
товару немає в наявності |