Продукція > VISHAY > SIHG17N80AE-GE3
SIHG17N80AE-GE3

SIHG17N80AE-GE3 Vishay


sihg17n80ae.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+108.80 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG17N80AE-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHG17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHG17N80AE-GE3 за ціною від 100.13 грн до 272.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG17N80AE-GE3 SIHG17N80AE-GE3 Виробник : Vishay sihg17n80ae.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+117.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3 SIHG17N80AE-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihg17n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.52 грн
25+160.04 грн
100+130.76 грн
500+100.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3 SIHG17N80AE-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihg17n80ae.pdf MOSFETs TO247 800V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.03 грн
10+226.49 грн
25+158.47 грн
100+129.04 грн
500+107.91 грн
1000+105.64 грн
2500+103.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3 SIHG17N80AE-GE3 Виробник : VISHAY 3164667.pdf Description: VISHAY - SIHG17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+272.58 грн
10+204.01 грн
100+153.22 грн
500+115.55 грн
1000+100.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3 Виробник : Vishay sihg17n80ae.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+112.69 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3 SIHG17N80AE-GE3 Виробник : Vishay sihg17n80ae.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3 SIHG17N80AE-GE3 Виробник : Vishay sihg17n80ae.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3 Виробник : VISHAY sihg17n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AE-GE3 Виробник : VISHAY sihg17n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 32A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.