SIHG17N80AEF-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHG17N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.305 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 261.67 грн |
| 10+ | 171.91 грн |
| 100+ | 121.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG17N80AEF-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHG17N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.305 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHG17N80AEF-GE3 за ціною від 131.08 грн до 293.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG17N80AEF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V |
на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| SIHG17N80AEF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 15A Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
SIHG17N80AEF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
SIHG17N80AEF-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO247 800V 15A N-CH MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||
| SIHG17N80AEF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 9A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 179W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 305mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |