Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIHG17N80E-GE3

SIHG17N80E-GE3 Vishay / Siliconix

Name: SIHG17N80E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 147628-4
Price: 443.74 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-247AC

на замовлення 621 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	443.74 грн
50+	268.19 грн
100+	225.12 грн
250+	220.70 грн
500+	216.29 грн
1000+	178.77 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIHG17N80E-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHG17N80E-GE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SIHG17N80E-GE3	Виробник : Vishay	E Series Power MOSFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SIHG17N80E-GE3	Виробник : VISHAY	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 208W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Gate charge: 122nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SIHG17N80E-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SIHG17N80E-GE3	Виробник : VISHAY	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 208W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Gate charge: 122nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.