Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHG180N60E-GE3
SIHG180N60E-GE3

SIHG180N60E-GE3 Vishay Siliconix

sihg180n60e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.18 грн
25+174.00 грн
100+142.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG180N60E-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHG180N60E-GE3 за ціною від 121.83 грн до 333.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG180N60E-GE3 SIHG180N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihg180n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+333.07 грн
10+300.46 грн
25+180.54 грн
100+147.52 грн
500+121.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG180N60E-GE3 SIHG180N60E-GE3 Виробник : Vishay sihg180n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG180N60E-GE3 SIHG180N60E-GE3 Виробник : Vishay doc92141.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG180N60E-GE3 SIHG180N60E-GE3 Виробник : Vishay doc92141.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG180N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihg180n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 156W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG180N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihg180n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 156W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.