Продукція > VISHAY > SIHG186N60EF-GE3
SIHG186N60EF-GE3

SIHG186N60EF-GE3 VISHAY

sihg186n60ef.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.168 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+274.33 грн
10+259.68 грн
100+144.09 грн
500+108.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG186N60EF-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHG186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.168 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHG186N60EF-GE3 за ціною від 118.28 грн до 337.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG186N60EF-GE3 SIHG186N60EF-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihg186n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.58 грн
25+164.06 грн
100+142.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG186N60EF-GE3 SIHG186N60EF-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihg186n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+337.80 грн
10+288.74 грн
25+167.63 грн
100+146.58 грн
500+120.46 грн
1000+118.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG186N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihg186n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG186N60EF-GE3 SIHG186N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihg186n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG186N60EF-GE3 SIHG186N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihg186n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG186N60EF-GE3 SIHG186N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihg186n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.