Інші пропозиції SIHG20N50C-E3 за ціною від 134.00 грн до 243.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHG20N50C-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG20N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 292W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
SIHG20N50C-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
| SIHG20N50C-E3 | Виробник : Vishay |
Transistor: N-MOSFET unipolar 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50cкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 53 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| SIHG20N50C-E3 | Виробник : Vishay |
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC (аналог IRFP460) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||
| SIHG20N50C-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 20 А, Ptot, Вт = 292, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2942 @ 25, Qg, нКл = 76 @ 10 В, Rds = 270 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-247-3 кількість в упаковці: 25 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
|
SIHG20N50C-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||
|
SIHG20N50C-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC |
товару немає в наявності |




