Продукція > VISHAY > SIHG20N50C-E3
SIHG20N50C-E3

SIHG20N50C-E3 VISHAY

VISH-S-A0012821956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG20N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 292W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+254.29 грн
10+244.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG20N50C-E3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHG20N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 292W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIHG20N50C-E3 за ціною від 105.00 грн до 123.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG20N50C-E3 SIHG20N50C-E3 Виробник : Vishay sihg20n5.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50C-E3 Виробник : Siliconix sihg20n5.pdf Transistor: N-MOSFET unipolar 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+123.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50C-E3 Виробник : Vishay sihg20n5.pdf Transistor: N-MOSFET unipolar 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+123.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50C-E3 SIHG20N50C-E3
Код товару: 51442
Додати до обраних Обраний товар

sihg20n5.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+105.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50C-E3 SIHG20N50C-E3 Виробник : Vishay sihg20n5.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50C-E3 SIHG20N50C-E3 Виробник : Vishay Siliconix sihg20n5.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50C-E3 SIHG20N50C-E3 Виробник : Vishay / Siliconix sihg20n5.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.