SIHG20N50C-E3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHG20N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 292W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 260.13 грн |
| 10+ | 248.97 грн |
| 100+ | 159.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG20N50C-E3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHG20N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 292W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIHG20N50C-E3 за ціною від 92.98 грн до 292.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG20N50C-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V |
на замовлення 1377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHG20N50C-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| SIHG20N50C-E3 | Виробник : Siliconix |
Transistor: N-MOSFET unipolar 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50c кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SIHG20N50C-E3 | Виробник : Vishay |
Transistor: N-MOSFET unipolar 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50c кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SIHG20N50C-E3 | Виробник : VISHAY |
SIHG20N50C-E3 THT N channel transistors |
на замовлення 391 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
SIHG20N50C-E3 Код товару: 51442
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||
 |
SIHG20N50C-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SIHG20N50C-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC |
товару немає в наявності |