на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 70+ | 168.3 грн |
| 175+ | 154.53 грн |
| 350+ | 144.54 грн |
| 525+ | 132.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG20N50C-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SIHG20N50C-E3 за ціною від 85.86 грн до 249.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG20N50C-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V |
на замовлення 3177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHG20N50C-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 7882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHG20N50C-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 250W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHG20N50C-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG20N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.225 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 292W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm |
на замовлення 1245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHG20N50C-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 250W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 487 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHG20N50C-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SIHG20N50C-E3 | Виробник : Siliconix |
Tranzystor: N-MOSFET unipolarny 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Tranzystory z kana?em N THT SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50c кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SIHG20N50C-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC (аналог IRFP460) |
на замовлення 150 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
SIHG20N50C-E3 Код товару: 51442 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
 |
SIHG20N50C-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SIHG20N50C-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SIHG20N50C-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |