SIHG20N50E-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 218.45 грн |
| 5+ | 193.44 грн |
| 10+ | 171.76 грн |
| 20+ | 150.08 грн |
| 100+ | 141.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG20N50E-GE3 VISHAY
Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHG20N50E-GE3 за ціною від 104.86 грн до 311.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG20N50E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHG20N50E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHG20N50E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 805 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHG20N50E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 179W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 184mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 244 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHG20N50E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHG20N50E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SIHG20N50E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |