SIHG20N50E-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 275.11 грн |
| 10+ | 181.36 грн |
| 100+ | 110.39 грн |
| 1000+ | 99.88 грн |
| 2500+ | 98.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG20N50E-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHG20N50E-GE3 за ціною від 121.11 грн до 293.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG20N50E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V |
на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SIHG20N50E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
SIHG20N50E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||
| SIHG20N50E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 179W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 184mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| SIHG20N50E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 179W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 184mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |