Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SIHG20N50E-GE3

SIHG20N50E-GE3

sihg20n50e.pdf
Код товару: 218372
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIHG20N50E-GE3 за ціною від 103.34 грн до 355.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIHG20N50E-GE3 SIHG20N50E-GE3 Vishay sihg20n50e.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+187.56 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50E-GE3 SIHG20N50E-GE3 Vishay sihg20n50e.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+188.57 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50E-GE3 SIHG20N50E-GE3 Vishay sihg20n50e.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+231.25 грн
100+219.01 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50E-GE3 SIHG20N50E-GE3 VISHAY sihg20n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+268.97 грн
5+231.14 грн
10+207.61 грн
25+182.39 грн
100+153.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50E-GE3 SIHG20N50E-GE3 Vishay Siliconix sihg20n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.80 грн
10+192.97 грн
100+136.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50E-GE3 SIHG20N50E-GE3 Vishay Semiconductors sihg20n50e.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.19 грн
10+215.21 грн
100+139.66 грн
500+131.28 грн
1000+108.93 грн
2500+103.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50E-GE3 sihg20n50e.pdf
SIHG20N50E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
250+187.56 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50E-GE3 sihg20n50e.pdf
SIHG20N50E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
250+188.57 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50E-GE3 sihg20n50e.pdf
SIHG20N50E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
62+231.25 грн
100+219.01 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50E-GE3 sihg20n50e.pdf
SIHG20N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+268.97 грн
5+231.14 грн
10+207.61 грн
25+182.39 грн
100+153.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50E-GE3 sihg20n50e.pdf
SIHG20N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+304.80 грн
10+192.97 грн
100+136.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG20N50E-GE3 sihg20n50e.pdf
SIHG20N50E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+355.19 грн
10+215.21 грн
100+139.66 грн
500+131.28 грн
1000+108.93 грн
2500+103.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.