| Кількість | Ціна |
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| 1+ | 406.21 грн |
| 10+ | 302.33 грн |
| 100+ | 212.86 грн |
| 500+ | 176.91 грн |
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Технічний опис SIHG21N65EF-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHG21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).
Інші пропозиції SIHG21N65EF-GE3 за ціною від 291.09 грн до 439.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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SIHG21N65EF-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHG21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SIHG21N65EF-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SIHG21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
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rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 439.93 грн |
| 10+ | 310.01 грн |
| 100+ | 291.09 грн |