Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHG21N80AE-GE3
SIHG21N80AE-GE3

SIHG21N80AE-GE3 Vishay Siliconix

sihg21n80ae.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AC
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.88 грн
25+173.33 грн
100+148.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG21N80AE-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AC, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247AC, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SIHG21N80AE-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG21N80AE-GE3 SIHG21N80AE-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sihg21n80ae.pdf MOSFETs TO247 800V 16.3A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.