SIHG21N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 230.78 грн |
| 25+ | 176.32 грн |
| 100+ | 151.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG21N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHG21N80AE-GE3 за ціною від 160.38 грн до 257.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG21N80AE-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO247 800V 16.3A N-CH MOSFET |
на замовлення 676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SIHG21N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 17.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
SIHG21N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 17.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
SIHG21N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 17.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||
| SIHG21N80AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIHG21N80AE-GE3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |