на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 378.51 грн |
| 10+ | 251.65 грн |
| 100+ | 170.96 грн |
| 500+ | 142.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG22N60AE-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHG22N60AE-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG22N60AE-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|
| SIHG22N60AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIHG22N60AE-GE3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
SIHG22N60AE-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |