SIHG22N60E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 285.26 грн |
| 25+ | 217.92 грн |
| 100+ | 186.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG22N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHG22N60E-GE3 за ціною від 133.52 грн до 309.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG22N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHG22N60E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 1279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHG22N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SIHG22N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SIHG22N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIHG22N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 227W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIHG22N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 227W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |