SIHG22N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 100 V
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 359.56 грн |
| 25+ | 199.17 грн |
| 100+ | 164.13 грн |
| 500+ | 127.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG22N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHG22N60EF-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG22N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|
 |
SIHG22N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|
| SIHG22N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 179W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 182mΩ Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
SIHG22N60EF-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode |
товару немає в наявності |
|
| SIHG22N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 179W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 182mΩ Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |