SiHG23N60E-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 383.66 грн |
| 10+ | 303.73 грн |
| 25+ | 225.85 грн |
| 100+ | 205.99 грн |
| 250+ | 197.90 грн |
| 500+ | 189.07 грн |
| 1000+ | 167.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiHG23N60E-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SiHG23N60E-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG23N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|
 |
SiHG23N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |