SIHG24N80AE-GE3

SIHG24N80AE-GE3 Vishay Siliconix


sihg24n80ae.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 21A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V
на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+318.35 грн
25+195.98 грн
100+162.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG24N80AE-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHG24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHG24N80AE-GE3 за ціною від 131.27 грн до 369.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG24N80AE-GE3 SIHG24N80AE-GE3 Виробник : VISHAY 3177889.pdf Description: VISHAY - SIHG24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+350.46 грн
10+252.26 грн
100+187.08 грн
500+131.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N80AE-GE3 SIHG24N80AE-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihg24n80ae.pdf MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.76 грн
10+328.03 грн
25+200.72 грн
100+167.52 грн
250+165.26 грн
500+143.37 грн
1000+136.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N80AE-GE3 Виробник : Vishay doc92372.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 21A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N80AE-GE3 SIHG24N80AE-GE3 Виробник : Vishay sihg24n80ae.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.