SIHG24N80AE-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHG24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 21 A, 0.184 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.184ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 344.35 грн |
| 10+ | 203.52 грн |
| 100+ | 188.06 грн |
| 500+ | 151.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG24N80AE-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHG24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 21 A, 0.184 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.184ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHG24N80AE-GE3 за ціною від 133.19 грн до 376.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG24N80AE-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 21A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHG24N80AE-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET |
на замовлення 638 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SIHG24N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 21A |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
SIHG24N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SIHG24N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |