SIHG24N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 21A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 310.37 грн |
| 25+ | 191.06 грн |
| 100+ | 158.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG24N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHG24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHG24N80AE-GE3 за ціною від 127.98 грн до 357.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG24N80AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHG24N80AE-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET |
на замовлення 678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIHG24N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 21A |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
SIHG24N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |