SIHG24N80AEF-GE3

SIHG24N80AEF-GE3 Vishay Siliconix


sihg24n80aef.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 100 V
на замовлення 386 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+311.92 грн
10+ 252.08 грн
100+ 203.91 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG24N80AEF-GE3 Vishay Siliconix

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHG24N80AEF-GE3 за ціною від 141.84 грн до 338.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHG24N80AEF-GE3 SIHG24N80AEF-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihg24n80aef.pdf MOSFET N-CH 800V
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+338.74 грн
10+ 280.29 грн
25+ 230.41 грн
100+ 197.78 грн
250+ 186.46 грн
500+ 174.48 грн
1000+ 141.84 грн