SIHG24N80AEF-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 381.34 грн |
| 10+ | 245.40 грн |
| 100+ | 176.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG24N80AEF-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHG24N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 20 A, 0.195 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHG24N80AEF-GE3 за ціною від 153.31 грн до 430.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG24N80AEF-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG24N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 20 A, 0.195 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIHG24N80AEF-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO247 800V 20A N-CH MOSFET |
на замовлення 1387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| SIHG24N80AEF-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 800V; 20A; 208W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 800V Drain current: 20A Power dissipation: 208W Case: TO247-3 Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 0.195Ω Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| SIHG24N80AEF-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG24N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 20 A, 0.195 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIHG24N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 20 A, 0.195 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 405.31 грн |
| 10+ | 270.75 грн |
| 100+ | 195.27 грн |
| SIHG24N80AEF-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO247 800V 20A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 800V 20A N-CH MOSFET
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 430.74 грн |
| 10+ | 284.68 грн |
| 100+ | 177.92 грн |
| 500+ | 170.89 грн |
| 1000+ | 153.31 грн |
| SIHG24N80AEF-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 800V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 800V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 175+ | 227.91 грн |