Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHG25N40D-E3
SIHG25N40D-E3

SIHG25N40D-E3 Vishay Siliconix

sihg25n40d.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+269.84 грн
10+179.81 грн
100+132.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG25N40D-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247AC, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SIHG25N40D-E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHG25N40D-E3 SIHG25N40D-E3 Vishay / Siliconix sihg25n40d.pdf MOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.