Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHG25N40D-GE3
SIHG25N40D-GE3

SIHG25N40D-GE3 Vishay Siliconix

sihg25n40d.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707 pF @ 100 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+268.64 грн
10+179.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG25N40D-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHG25N40D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHG25N40D-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHG25N40D-GE3 Vishay sihg25n40d.pdf MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N40D-GE3 SIHG25N40D-GE3 Vishay / Siliconix sihg25n40d.pdf MOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N40D-GE3 SIHG25N40D-GE3 VISHAY sihg25n40d.pdf Description: VISHAY - SIHG25N40D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N40D-GE3 sihg25n40d.pdf
Виробник: Vishay
MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N40D-GE3 sihg25n40d.pdf
SIHG25N40D-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 400V Vds 30V Vgs TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N40D-GE3 sihg25n40d.pdf
SIHG25N40D-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG25N40D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.