Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHG25N50E-GE3
SIHG25N50E-GE3

SIHG25N50E-GE3 Vishay Siliconix

sihg25n50e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+347.15 грн
25+191.18 грн
100+157.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG25N50E-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHG25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.145 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIHG25N50E-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHG25N50E-GE3 SIHG25N50E-GE3 Vishay / Siliconix sihg25n50e.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3 SIHG25N50E-GE3 VISHAY VISH-S-A0011299576-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.145 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3 sihg25n50e.pdf
SIHG25N50E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3 VISH-S-A0011299576-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHG25N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.145 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.