Технічний опис SIHG30N60AEL-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHG30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 28, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 250, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: EL, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 4, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції SIHG30N60AEL-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG30N60AEL-GE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHG |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
SIHG30N60AEL-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 28 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 250 Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: EL Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
SIHG30N60AEL-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage MSL: MSL 1 - unbegrenzt Transistormontage: Durchsteckmontage Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: EL |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIHG30N60AEL-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHG
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHG
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIHG30N60AEL-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EL
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: VISHAY - SIHG30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 28
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EL
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHG30N60AEL-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Transistormontage: Durchsteckmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: EL
Description: VISHAY - SIHG30N60AEL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 28 A, 0.105 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Transistormontage: Durchsteckmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: EL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.