Продукція > VISHAY > SIHG30N60E-GE3
SIHG30N60E-GE3

SIHG30N60E-GE3 Vishay

sihg30n60e.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+207.13 грн
10+195.38 грн
25+194.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG30N60E-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHG30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHG30N60E-GE3 за ціною від 229.71 грн до 506.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihg30n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+482.69 грн
10+333.62 грн
100+242.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihg30n60e.pdf Description: VISHAY - SIHG30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+489.86 грн
10+371.31 грн
100+270.86 грн
500+240.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihg30n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+506.89 грн
10+378.11 грн
25+300.90 грн
100+240.72 грн
250+234.85 грн
500+229.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 Виробник : Vishay sihg30n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3
Код товару: 172042
Додати до обраних Обраний товар

sihg30n60e.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 Виробник : Vishay sihg30n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 Виробник : VISHAY SIHG30N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 130nC
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 Виробник : VISHAY SIHG30N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 130nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.