SIHG32N50D-GE3

SIHG32N50D-GE3 Vishay / Siliconix


sihg32n50d.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.12 грн
10+335.03 грн
25+275.14 грн
100+236.15 грн
250+222.18 грн
500+208.93 грн
1000+168.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG32N50D-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIHG32N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHG32N50D-GE3 за ціною від 186.04 грн до 434.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG32N50D-GE3 SIHG32N50D-GE3 Виробник : VISHAY sihg32n50d.pdf Description: VISHAY - SIHG32N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+434.10 грн
10+309.48 грн
100+250.89 грн
500+218.41 грн
1000+186.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG32N50D-GE3 SIHG32N50D-GE3 Виробник : Vishay sihg32n50d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG32N50D-GE3 Виробник : VISHAY sihg32n50d.pdf SIHG32N50D-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG32N50D-GE3 SIHG32N50D-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihg32n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.