на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 415.54 грн |
| 10+ | 343.65 грн |
| 25+ | 282.22 грн |
| 100+ | 242.23 грн |
| 250+ | 227.89 грн |
| 500+ | 214.31 грн |
| 1000+ | 172.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG32N50D-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHG32N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHG32N50D-GE3 за ціною від 190.83 грн до 445.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG32N50D-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHG32N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHG32N50D-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SIHG32N50D-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 19A; Idm: 89A; 390W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 19A Pulsed drain current: 89A Power dissipation: 390W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
SIHG32N50D-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SIHG32N50D-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 19A; Idm: 89A; 390W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 19A Pulsed drain current: 89A Power dissipation: 390W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |