| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 675.80 грн |
| 10+ | 504.75 грн |
| 100+ | 408.48 грн |
| 500+ | 349.72 грн |
| 1000+ | 285.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG33N60E-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHG33N60E-GE3 за ціною від 285.13 грн до 675.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHG33N60E-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIHG33N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHG33N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 675.80 грн |
| 28+ | 504.75 грн |
| 100+ | 408.48 грн |
| 500+ | 349.72 грн |
| 1000+ | 285.13 грн |
| SIHG33N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




