Продукція > VISHAY / SILICONIX > SiHG33N65E-GE3
SiHG33N65E-GE3

SiHG33N65E-GE3 Vishay / Siliconix

sihg33n65e.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+526.99 грн
10+445.01 грн
25+350.92 грн
100+322.96 грн
250+303.84 грн
500+258.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SiHG33N65E-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIHG33N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32.4 A, 0.09 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 313W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SiHG33N65E-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SiHG33N65E-GE3 SiHG33N65E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihg33n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N65E-GE3 SIHG33N65E-GE3 Виробник : Vishay doc91716.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 32.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG33N65E-GE3 SIHG33N65E-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0011299528-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG33N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32.4 A, 0.09 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 313W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG33N65E-GE3 Виробник : VISHAY sihg33n65e.pdf SIHG33N65E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.