Продукція > VISHAY / SILICONIX > SiHG33N65E-GE3
SiHG33N65E-GE3

SiHG33N65E-GE3 Vishay / Siliconix

sihg33n65e.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+617.81 грн
10+429.44 грн
100+301.70 грн
500+252.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SiHG33N65E-GE3 Vishay / Siliconix

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 101A; 313W; TO247AC, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 21A, Pulsed drain current: 101A, Power dissipation: 313W, Case: TO247AC, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.105Ω, Mounting: THT, Gate charge: 173nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції SiHG33N65E-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SiHG33N65E-GE3 SiHG33N65E-GE3 Vishay Siliconix sihg33n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG33N65E-GE3 sihg33n65e.pdf
SiHG33N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.