| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 642.47 грн |
| 10+ | 446.58 грн |
| 100+ | 313.74 грн |
| 500+ | 262.55 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiHG33N65E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHG33N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32.4 A, 0.09 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 313W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SiHG33N65E-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SiHG33N65E-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC |
на замовлення 843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SiHG33N65E-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
Description: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)