на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 306.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG35N60EF-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHG35N60EF-GE3 за ціною від 330.37 грн до 330.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIHG35N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
SIHG35N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
SIHG35N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||
| SIHG35N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 250W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 97mΩ Mounting: THT Gate charge: 134nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||
 |
SIHG35N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
SIHG35N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||
| SIHG35N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 250W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 97mΩ Mounting: THT Gate charge: 134nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |