Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SIHG40N60E-GE3

SIHG40N60E-GE3

sihg40n60e.pdf
Код товару: 154667
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIHG40N60E-GE3 за ціною від 244.78 грн до 599.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG40N60E-GE3 SIHG40N60E-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sihg40n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+599.56 грн
10+351.88 грн
100+299.72 грн
500+267.04 грн
1000+244.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG40N60E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihg40n60e.pdf MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG40N60E-GE3 SIHG40N60E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihg40n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4436 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.