Продукція > VISHAY > SIHG47N60AE-GE3
SIHG47N60AE-GE3

SIHG47N60AE-GE3 Vishay

sihg47n60ae.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
67+216.51 грн
72+200.77 грн
100+198.18 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 67 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG47N60AE-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHG47N60AE-GE3 - N-CHANNEL 600V 20AC3821, tariffCode: 0, Transistormontage: Through Hole, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 313W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції SIHG47N60AE-GE3 за ціною від 294.39 грн до 675.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Vishay sihg47n60ae.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+534.26 грн
25+380.43 грн
100+365.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Vishay sihg47n60ae.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+534.26 грн
38+380.43 грн
100+365.17 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Vishay Siliconix sihg47n60ae.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+645.72 грн
25+372.96 грн
50+340.76 грн
100+294.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Vishay Semiconductors sihg47n60ae.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 817 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+675.46 грн
10+378.40 грн
100+302.42 грн
500+300.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 VISHAY sihg47n60ae.pdf Description: VISHAY - SIHG47N60AE-GE3 - N-CHANNEL 600V 20AC3821
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 313W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 sihg47n60ae.pdf
SIHG47N60AE-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+534.26 грн
25+380.43 грн
100+365.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 sihg47n60ae.pdf
SIHG47N60AE-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+534.26 грн
38+380.43 грн
100+365.17 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 sihg47n60ae.pdf
SIHG47N60AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+645.72 грн
25+372.96 грн
50+340.76 грн
100+294.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 sihg47n60ae.pdf
SIHG47N60AE-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 817 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+675.46 грн
10+378.40 грн
100+302.42 грн
500+300.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 sihg47n60ae.pdf
SIHG47N60AE-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG47N60AE-GE3 - N-CHANNEL 600V 20AC3821
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 313W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.