Продукція > VISHAY > SIHG47N60AE-GE3
SIHG47N60AE-GE3

SIHG47N60AE-GE3 Vishay

sihg47n60ae.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
67+212.24 грн
72+196.82 грн
100+194.28 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG47N60AE-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHG47N60AE-GE3 - N-CHANNEL 600V 20AC3821, tariffCode: 0, Transistormontage: Through Hole, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 313W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції SIHG47N60AE-GE3 за ціною від 294.01 грн до 645.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Vishay sihg47n60ae.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+523.74 грн
25+372.93 грн
100+357.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Vishay sihg47n60ae.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+523.74 грн
38+372.93 грн
100+357.97 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Vishay Siliconix sihg47n60ae.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+645.21 грн
25+372.48 грн
50+340.33 грн
100+294.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Vishay Semiconductors sihg47n60ae.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 VISHAY sihg47n60ae.pdf Description: VISHAY - SIHG47N60AE-GE3 - N-CHANNEL 600V 20AC3821
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 313W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 sihg47n60ae.pdf
SIHG47N60AE-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+523.74 грн
25+372.93 грн
100+357.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 sihg47n60ae.pdf
SIHG47N60AE-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+523.74 грн
38+372.93 грн
100+357.97 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 sihg47n60ae.pdf
SIHG47N60AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+645.21 грн
25+372.48 грн
50+340.33 грн
100+294.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 sihg47n60ae.pdf
SIHG47N60AE-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 sihg47n60ae.pdf
SIHG47N60AE-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG47N60AE-GE3 - N-CHANNEL 600V 20AC3821
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 313W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.