Продукція > VISHAY > SIHG47N60AE-GE3
SIHG47N60AE-GE3

SIHG47N60AE-GE3 Vishay

sihg47n60ae.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+183.06 грн
72+169.75 грн
100+167.56 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG47N60AE-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 313W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHG47N60AE-GE3 за ціною від 150.04 грн до 508.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Виробник : Vishay sihg47n60ae.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+281.30 грн
4+169.99 грн
25+157.63 грн
100+150.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihg47n60ae.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.11 грн
25+285.89 грн
100+266.69 грн
500+245.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sihg47n60ae.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+508.60 грн
25+342.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 SIHG47N60AE-GE3 Виробник : Vishay sihg47n60ae.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 Виробник : VISHAY sihg47n60ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 27A; Idm: 130A; 313W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 27A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 130A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AE-GE3 Виробник : VISHAY sihg47n60ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 27A; Idm: 130A; 313W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 27A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 130A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.