Технічний опис SIHG47N60AE-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHG47N60AE-GE3 - N-CHANNEL 600V 20AC3821, tariffCode: 0, Transistormontage: Through Hole, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 313W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції SIHG47N60AE-GE3 за ціною від 297.43 грн до 652.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHG47N60AE-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
SIHG47N60AE-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
SIHG47N60AE-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
SIHG47N60AE-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
SIHG47N60AE-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG47N60AE-GE3 - N-CHANNEL 600V 20AC3821tariffCode: 0 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 313W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHG47N60AE-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 523.74 грн |
| 25+ | 372.93 грн |
| 100+ | 357.97 грн |
| SIHG47N60AE-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 523.74 грн |
| 38+ | 372.93 грн |
| 100+ | 357.97 грн |
| SIHG47N60AE-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 652.71 грн |
| 25+ | 376.82 грн |
| 50+ | 344.28 грн |
| 100+ | 297.43 грн |
| SIHG47N60AE-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIHG47N60AE-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG47N60AE-GE3 - N-CHANNEL 600V 20AC3821
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 313W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - SIHG47N60AE-GE3 - N-CHANNEL 600V 20AC3821
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 313W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






