Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHG47N60AEF-GE3
SIHG47N60AEF-GE3

SIHG47N60AEF-GE3 Vishay Siliconix

sihg47n60aef.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+711.25 грн
25+413.41 грн
50+378.36 грн
100+327.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG47N60AEF-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHG47N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 313W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.

Інші пропозиції SIHG47N60AEF-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHG47N60AEF-GE3 SIHG47N60AEF-GE3 Vishay / Siliconix sihg47n60aef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AEF-GE3 SIHG47N60AEF-GE3 VISHAY sihg47n60aef.pdf Description: VISHAY - SIHG47N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AEF-GE3 sihg47n60aef.pdf
SIHG47N60AEF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60AEF-GE3 sihg47n60aef.pdf
SIHG47N60AEF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG47N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.