на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 452.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG47N60E-E3 Vishay
Description: VISHAY - SIHG47N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.064 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIHG47N60E-E3 за ціною від 309.88 грн до 781.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIHG47N60E-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHG47N60E-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG47N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.064 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHG47N60E-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHG47N60E-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIHG47N60E-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 47A; 357W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 64mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: MOSFET |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SIHG47N60E-E3 |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SIHG47N60E-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SIHG47N60E-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |