Продукція > VISHAY > SIHG47N60E-E3
SIHG47N60E-E3

SIHG47N60E-E3 Vishay

sihg47n60e.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+249.05 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG47N60E-E3 Vishay

Description: VISHAY - SIHG47N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.064 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 357W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm.

Інші пропозиції SIHG47N60E-E3 за ціною від 359.82 грн до 898.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHG47N60E-E3 SIHG47N60E-E3 Vishay Siliconix sihg47n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+773.76 грн
25+452.88 грн
50+415.15 грн
100+359.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-E3 SIHG47N60E-E3 Vishay sihg47n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+898.95 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-E3 SIHG47N60E-E3 Vishay / Siliconix sihg47n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-E3 SIHG47N60E-E3 VISHAY VISH-S-A0011299585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG47N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.064 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-E3 sihg47n60e.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-E3 sihg47n60e.pdf
SIHG47N60E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+773.76 грн
25+452.88 грн
50+415.15 грн
100+359.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-E3 sihg47n60e.pdf
SIHG47N60E-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+898.95 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-E3 sihg47n60e.pdf
SIHG47N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-E3 VISH-S-A0011299585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHG47N60E-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG47N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.064 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-E3 sihg47n60e.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.