Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHG47N60E-E3
SIHG47N60E-E3

SIHG47N60E-E3 Vishay Siliconix

sihg47n60e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+623.11 грн
25+ 479.39 грн
100+ 428.93 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG47N60E-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHG47N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm.

Інші пропозиції SIHG47N60E-E3 за ціною від 314.32 грн до 676.7 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHG47N60E-E3 SIHG47N60E-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0011299585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG47N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+629.01 грн
5+ 542.35 грн
10+ 455.7 грн
50+ 406.5 грн
100+ 359.22 грн
250+ 338.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG47N60E-E3 SIHG47N60E-E3 Виробник : Vishay / Siliconix sihg47n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+676.7 грн
10+ 572.84 грн
25+ 451.5 грн
100+ 414.88 грн
250+ 390.9 грн
500+ 344.29 грн
1000+ 314.32 грн
SIHG47N60E-E3 sihg47n60e.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIHG47N60E-E3 SIHG47N60E-E3 Виробник : Vishay sihg47n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
SIHG47N60E-E3 SIHG47N60E-E3 Виробник : Vishay sihg47n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній