на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 376.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG47N60E-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHG47N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 47, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 357, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHG47N60E-GE3 за ціною від 327.04 грн до 919.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG47N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHG47N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V |
на замовлення 388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHG47N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHG47N60E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 4296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHG47N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 357W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 64mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.22µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHG47N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 357W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 64mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.22µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 333 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHG47N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SIHG47N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG47N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 47 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 357 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 357 Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товар відсутній |