SIHG47N60E-GE3

SIHG47N60E-GE3 Vishay Siliconix


sihg47n60e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
на замовлення 74 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+675.64 грн
50+375.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG47N60E-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHG47N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 47, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 357, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHG47N60E-GE3 за ціною від 371.52 грн до 1016.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihg47n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+772.47 грн
10+679.37 грн
25+516.45 грн
100+468.63 грн
500+412.72 грн
1000+371.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9064578CFE4143&compId=SIHG47N60E.pdf?ci_sign=dc5f5c5da56beb3aa5eee02d998e7ce3c39409be Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+846.74 грн
2+542.57 грн
5+512.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9064578CFE4143&compId=SIHG47N60E.pdf?ci_sign=dc5f5c5da56beb3aa5eee02d998e7ce3c39409be Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1016.09 грн
2+676.12 грн
5+615.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3
Код товару: 203041
Додати до обраних Обраний товар

sihg47n60e.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 Виробник : Vishay sihg47n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 Виробник : Vishay sihg47n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0011299585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG47N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 47
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.