Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SIHG47N60E-GE3

SIHG47N60E-GE3

sihg47n60e.pdf
Код товару: 203041
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIHG47N60E-GE3 за ціною від 369.66 грн до 688.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 VISHAY SIHG47N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.22µC
на замовлення 214 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+674.07 грн
10+530.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg47n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+688.91 грн
50+369.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg47n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E.pdf
SIHG47N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.22µC
на замовлення 214 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+674.07 грн
10+530.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 sihg47n60e.pdf
SIHG47N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+688.91 грн
50+369.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 sihg47n60e.pdf
SIHG47N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.