SIHG47N60EF-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 689.72 грн |
10+ | 582.85 грн |
25+ | 459.67 грн |
100+ | 419.81 грн |
250+ | 397.89 грн |
500+ | 368.66 грн |
1000+ | 356.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG47N60EF-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 379W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4854 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHG47N60EF-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SIHG47N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 379W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4854 pF @ 100 V |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
SIHG47N60EF-GE3 Код товару: 163480 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
SIHG47N60EF-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
||
SIHG47N60EF-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
||
SIHG47N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; Idm: 138A; 379W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29A Pulsed drain current: 138A Power dissipation: 379W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 228nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
SIHG47N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; Idm: 138A; 379W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29A Pulsed drain current: 138A Power dissipation: 379W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 228nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |