Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHG47N60EF-GE3
SIHG47N60EF-GE3

SIHG47N60EF-GE3 Vishay Siliconix

sihg47n60ef.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4854 pF @ 100 V
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+604.15 грн
10+401.74 грн
100+334.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG47N60EF-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 379W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4854 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHG47N60EF-GE3 за ціною від 377.96 грн до 778.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG47N60EF-GE3 SIHG47N60EF-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihg47n60ef.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHW
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+778.31 грн
10+657.47 грн
100+477.04 грн
500+420.53 грн
1000+377.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60EF-GE3
Код товару: 163480
Додати до обраних Обраний товар

sihg47n60ef.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60EF-GE3 SIHG47N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihg47n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60EF-GE3 SIHG47N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihg47n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60EF-GE3 Виробник : VISHAY sihg47n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; Idm: 138A; 379W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 379W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 138A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60EF-GE3 Виробник : VISHAY sihg47n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; Idm: 138A; 379W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 379W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 138A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.