Продукція > VISHAY > SIHG47N65E-GE3
SIHG47N65E-GE3

SIHG47N65E-GE3 VISHAY

3672781.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG47N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.06 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+609.80 грн
5+557.78 грн
10+505.75 грн
50+418.15 грн
100+320.19 грн
250+298.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG47N65E-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHG47N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.06 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHG47N65E-GE3 за ціною від 259.58 грн до 665.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG47N65E-GE3 SIHG47N65E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix tf-sihg47n65e-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5682 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+643.95 грн
10+424.41 грн
100+313.86 грн
500+259.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N65E-GE3 SIHG47N65E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix tf-sihg47n65e-ge3.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+665.24 грн
10+466.89 грн
100+300.31 грн
500+274.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N65E-GE3 SIHG47N65E-GE3 Виробник : Vishay sihg47n65e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N65E-GE3 SIHG47N65E-GE3 Виробник : Vishay sihg47n65e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N65E-GE3 SIHG47N65E-GE3 Виробник : Vishay sihg47n65e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N65E-GE3 Виробник : VISHAY tf-sihg47n65e-ge3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 139A; 417W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 139A
Power dissipation: 417W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 273nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.