на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 955.58 грн |
| 10+ | 662.87 грн |
| 100+ | 517.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiHG64N65E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 369 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7497 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SiHG64N65E-GE3 за ціною від 520.83 грн до 889.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SiHG64N65E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 369 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7497 pF @ 100 V |
на замовлення 479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
SIHG64N65E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
SIHG64N65E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |