Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHG70N60AEF-GE3
SIHG70N60AEF-GE3

SIHG70N60AEF-GE3 Vishay Siliconix

sihg70n60aef.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 410 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5348 pF @ 100 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+828.23 грн
10+556.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG70N60AEF-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHG70N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.041 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 417W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm.

Інші пропозиції SIHG70N60AEF-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHG70N60AEF-GE3 SIHG70N60AEF-GE3 VISHAY sihg70n60aef.pdf Description: VISHAY - SIHG70N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.041 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 417W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG70N60AEF-GE3 SIHG70N60AEF-GE3 Vishay / Siliconix sihg70n60aef.pdf MOSFETs 600V Vds 20V Vgs TO-247AC
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG70N60AEF-GE3 sihg70n60aef.pdf
SIHG70N60AEF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG70N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.041 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 417W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG70N60AEF-GE3 sihg70n60aef.pdf
SIHG70N60AEF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 20V Vgs TO-247AC
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.