SIHG70N60AEF-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 410 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5348 pF @ 100 V
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 767.96 грн |
| 10+ | 599.12 грн |
| 100+ | 452.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG70N60AEF-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHG70N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.0355 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0355ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHG70N60AEF-GE3 за ціною від 462.74 грн до 877.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG70N60AEF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG70N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.0355 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0355ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHG70N60AEF-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 20V Vgs TO-247AC |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIHG70N60AEF-GE3 | Виробник : Vishay |
EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SIHG70N60AEF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 173A; 417W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A Power dissipation: 417W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 394nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 173A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SIHG70N60AEF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 173A; 417W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 38A Power dissipation: 417W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 394nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 173A |
товару немає в наявності |