SIHG70N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 70A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 948.34 грн |
| 25+ | 569.13 грн |
| 100+ | 487.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG70N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 70A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHG70N60EF-GE3 за ціною від 509.59 грн до 1053.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG70N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHW |
на замовлення 271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SIHG70N60EF-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHW
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHW
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1053.36 грн |
| 10+ | 658.98 грн |
| 100+ | 509.59 грн |