Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHG73N60E-GE3
SIHG73N60E-GE3

SIHG73N60E-GE3 Vishay Siliconix

sihg73n60e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 100 V
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1060.04 грн
25+635.74 грн
100+544.29 грн
500+489.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG73N60E-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHG73N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 73 A, 0.039 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIHG73N60E-GE3 за ціною від 518.23 грн до 1243.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0011299566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG73N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 73 A, 0.039 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1128.28 грн
5+988.83 грн
10+849.38 грн
50+767.69 грн
100+689.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihg73n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1131.98 грн
10+699.00 грн
100+520.65 грн
500+518.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihg73n60e.pdf SIHG73N60E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 381 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1243.10 грн
2+817.30 грн
5+772.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 Виробник : Vishay sihg73n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 Виробник : Vishay sihg73n60e.pdf SIHG73N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 Виробник : Vishay sihg73n60e.pdf SIHG73N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.