
SIHG73N60E-GE3 VISHAY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 912.76 грн |
2+ | 622.26 грн |
4+ | 587.78 грн |
50+ | 565.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG73N60E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHG73N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 73 A, 0.032 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHG73N60E-GE3 за ціною від 521.60 грн до 1095.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIHG73N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 100 V |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SIHG73N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SIHG73N60E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SIHG73N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 46A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 362nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 388 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SIHG73N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
SIHG73N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
SIHG73N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |