SIHH068N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 100 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 586.51 грн |
| 10+ | 464.86 грн |
| 100+ | 387.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHH068N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 202W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHH068N60E-T1-GE3 за ціною від 296.48 грн до 662.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHH068N60E-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHH068N60E-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 4-Pin PowerPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIHH068N60E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 100A; 202W Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A On-state resistance: 68mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 202W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 80nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 100A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 8x8L кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SIHH068N60E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 202W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIHH068N60E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 100A; 202W Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A On-state resistance: 68mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 202W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 80nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 100A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 8x8L |
товару немає в наявності |