SIHH068N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 509.46 грн |
| 10+ | 412.71 грн |
| 100+ | 300.17 грн |
| 250+ | 295.77 грн |
| 3000+ | 217.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHH068N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 202W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHH068N60E-T1-GE3 за ціною від 368.21 грн до 557.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHH068N60E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 202W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 100 V |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SIHH068N60E-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 4-Pin PowerPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
| SIHH068N60E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIHH068N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
|
SIHH068N60E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 202W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |