SIHH070N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2647 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 270.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHH070N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHH070N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.071 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 202W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 202W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHH070N60EF-T1GE3 за ціною від 289.54 грн до 613.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHH070N60EF-T1GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHH070N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.071 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 202W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 202W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHH070N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 202W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2647 pF @ 100 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHH070N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL |
на замовлення 2464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHH070N60EF-T1GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHH070N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.071 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 202W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHH070N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 4-Pin PowerPak EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIHH070N60EF-T1GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; Idm: 93A; 202W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Power dissipation: 202W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 71mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 93A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
SIHH070N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 4-Pin PowerPak EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SIHH070N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 4-Pin PowerPak EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIHH070N60EF-T1GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; Idm: 93A; 202W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Power dissipation: 202W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 71mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 93A |
товару немає в наявності |