Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHH085N60EF-T1GE3
SIHH085N60EF-T1GE3

SIHH085N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix

sihh085n60ef.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+608.09 грн
10+398.48 грн
100+292.93 грн
500+237.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHH085N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHH085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.085 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 184W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EF Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHH085N60EF-T1GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHH085N60EF-T1GE3 SIHH085N60EF-T1GE3 Vishay / Siliconix sihh085n60ef.pdf MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH085N60EF-T1GE3 SIHH085N60EF-T1GE3 VISHAY VISH-S-A0018843483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHH085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.085 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH085N60EF-T1GE3 sihh085n60ef.pdf
SIHH085N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH085N60EF-T1GE3 VISH-S-A0018843483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHH085N60EF-T1GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.085 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.