Продукція > VISHAY > SIHH105N60EF-T1GE3
SIHH105N60EF-T1GE3

SIHH105N60EF-T1GE3 VISHAY

sihh105n60ef.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH105N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.105 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 174W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+223.88 грн
500+202.40 грн
1000+183.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHH105N60EF-T1GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHH105N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.105 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 174W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 174W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHH105N60EF-T1GE3 за ціною від 183.21 грн до 516.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHH105N60EF-T1GE3 SIHH105N60EF-T1GE3 Виробник : VISHAY sihh105n60ef.pdf Description: VISHAY - SIHH105N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.105 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+358.21 грн
10+276.26 грн
100+223.88 грн
500+202.40 грн
1000+183.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH105N60EF-T1GE3 SIHH105N60EF-T1GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihh105n60ef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2099 pF @ 100 V
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+478.20 грн
10+325.25 грн
100+244.98 грн
500+211.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH105N60EF-T1GE3 SIHH105N60EF-T1GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sihh105n60ef.pdf MOSFETs 600volts 26amp
на замовлення 5230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+516.63 грн
10+359.42 грн
100+234.97 грн
500+224.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH105N60EF-T1GE3 Виробник : Vishay sihh105n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH105N60EF-T1GE3 SIHH105N60EF-T1GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihh105n60ef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2099 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH105N60EF-T1GE3 Виробник : VISHAY sihh105n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 59A; 174W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® 8x8L
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 0.105Ω
Power dissipation: 174W
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 59A
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.