SIHH105N60EF-T1GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHH105N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.091 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 174W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 429.82 грн |
| 100+ | 347.60 грн |
| 500+ | 264.56 грн |
| 1000+ | 209.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHH105N60EF-T1GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHH105N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.091 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 174W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 174W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHH105N60EF-T1GE3 за ціною від 203.33 грн до 511.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHH105N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 174W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2099 pF @ 100 V |
на замовлення 3009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHH105N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600volts 26amp |
на замовлення 5230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIHH105N60EF-T1GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHH105N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.091 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 174W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 3032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SIHH105N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 26A T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SIHH105N60EF-T1GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 59A; 174W Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A On-state resistance: 0.105Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 174W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 50nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 59A Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SIHH105N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 174W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2099 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SIHH105N60EF-T1GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 59A; 174W Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A On-state resistance: 0.105Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 174W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 50nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 59A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |