Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIHH11N60E-T1-GE3
SIHH11N60E-T1-GE3

SIHH11N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix

sihh11n60e.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+218.87 грн
10+ 181.19 грн
25+ 148.88 грн
100+ 128.18 грн
250+ 120.17 грн
500+ 113.49 грн
1000+ 97.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHH11N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 339mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 114W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1076 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHH11N60E-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHH11N60E-T1-GE3 SIHH11N60E-T1-GE3 Виробник : Vishay sihh11n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 4-Pin PowerPAK EP T/R
товар відсутній
SIHH11N60E-T1-GE3 SIHH11N60E-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihh11n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 339mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1076 pF @ 100 V
товар відсутній
SIHH11N60E-T1-GE3 SIHH11N60E-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihh11n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 339mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1076 pF @ 100 V
товар відсутній