SIHH11N60E-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH11N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.339 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.339ohm
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Технічний опис SIHH11N60E-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHH11N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.339 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 114W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.339ohm.
Інші пропозиції SIHH11N60E-T1-GE3 за ціною від 98.46 грн до 400.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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SIHH11N60E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
на замовлення 2371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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SIHH11N60E-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHH11N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.339 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 114W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.339ohm |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIHH11N60E-T1-GE3 |
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Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 400.00 грн |
| 500+ | 129.29 грн |
| 1000+ | 108.93 грн |
| 3000+ | 98.46 грн |
| SIHH11N60E-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH11N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.339 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage
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isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.339ohm
Description: VISHAY - SIHH11N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.339 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.339ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)