Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHH125N60EF-T1GE3
SIHH125N60EF-T1GE3

SIHH125N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix

sihh125n60ef.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 23A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+209.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHH125N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 23A PPAK 8 X 8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHH125N60EF-T1GE3 за ціною від 188.89 грн до 502.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHH125N60EF-T1GE3 SIHH125N60EF-T1GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihh125n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+453.61 грн
10+331.90 грн
100+241.35 грн
500+190.32 грн
1000+188.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH125N60EF-T1GE3 SIHH125N60EF-T1GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihh125n60ef.pdf MOSFETs PWRPK 600V 23A N-CH MOSFET
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+502.10 грн
10+378.18 грн
100+244.25 грн
1000+227.33 грн
3000+213.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH125N60EF-T1GE3 Виробник : Vishay sihh125n60ef.pdf Power MOSFET With Fast Body Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH125N60EF-T1GE3 Виробник : VISHAY sihh125n60ef.pdf SIHH125N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.