Продукція > VISHAY SILICONIX > SiHH14N60EF-T1-GE3
SiHH14N60EF-T1-GE3

SiHH14N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix


sihh14n60ef.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 15A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 266mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 100 V
на замовлення 2870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.52 грн
10+263.47 грн
100+189.01 грн
500+147.59 грн
1000+140.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SiHH14N60EF-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 15A PPAK 8 X 8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 266mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 147W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SiHH14N60EF-T1-GE3 за ціною від 159.64 грн до 387.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SiHH14N60EF-T1-GE3 SiHH14N60EF-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihh14n60ef.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+387.95 грн
10+299.50 грн
100+187.60 грн
500+159.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH14N60EF-T1-GE3 Виробник : Vishay sihh14n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 5-Pin PowerPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH14N60EF-T1-GE3 Виробник : VISHAY sihh14n60ef.pdf SIHH14N60EF-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH14N60EF-T1-GE3 SiHH14N60EF-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihh14n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 15A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 266mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.