Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHH150N60E-T1-GE3
SIHH150N60E-T1-GE3

SIHH150N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix

sihh150n60e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+165.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHH150N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHH150N60E-T1-GE3 за ціною від 182.81 грн до 449.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHH150N60E-T1-GE3 SIHH150N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh150n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.22 грн
10+290.15 грн
100+209.47 грн
500+182.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH150N60E-T1-GE3 SIHH150N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh150n60e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.